Die Rastertunnelspektroskopie (englisch scanning tunneling spectroscopy, STS) ist eine Weiterentwicklung des Rastertunnelmikroskops. Mit ihr lassen sich die lokalen (oberflächennahen) Zustandsdichten (LDOS) von Elektronen (bzw. Löchern, also fehlenden Elektronen) messen. Man verwendet ein Rastertunnelmikroskop, bei dem man, zusätzlich zu der bisherigen Gleichspannung, eine Wechselspannung an die Messspitze anlegt. Dann variiert man langsam die Gleichspannung, die die Spitze auf das Potential $ U $ bringt, und trägt $ \mathrm{d}I/\mathrm{d}U(x,y,U) $ auf, wobei dieses Durchfahren der Spannung an jedem Bildpunkt geschehen muss.
Siehe auch
Literatur
- J. Tersoff, D. R. Hamann: Theory of the scanning tunneling microscope. In: Phys. Rev. B. Band 31, Nr. 2, 1985, S. 805–813, doi:10.1103/PhysRevB.31.805.
- M. Morgenstern, D. Haude, V. Gudmundson, Chr. Wittneven, R. Dombrowski, Chr. Steinebach, and R. Wiesendanger: Low Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy on n-InAs(110). In: J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. Band 109, 2000, S. 127.
- Chr. Wittneven, R. Dombrowski, M. Morgenstern, R. Wiesendanger: Scattering States of Ionized Dopants Probed by Low Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy. In: Phys. Rev. Lett. Band 81, 1998, S. 5616–5619, doi:10.1103/PhysRevLett.81.5616.
- G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: 7 × 7 Reconstruction on Si(111) Resolved in Real Space. In: Physical Review Letters. Band 50, Nr. 2, 1983, S. 120–123, doi:10.1103/PhysRevLett.50.120.
- G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: Surface Studies by Scanning Tunneling Microscopy. In: Physical Review Letters. Band 49, Nr. 1, 1982, S. 57–61, doi:10.1103/PhysRevLett.49.57.
- G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel: Tunneling through a controllable vacuum gap. In: Applied Physical Letters. Band 40, Nr. 2, 1982, S. 178–180, doi:10.1063/1.92999.
Weblinks
- Uni-Mainz: Rastertunnelspektroskopie (STS)
- Uni-Kiel: Rastertunnelspektroskopie am Beispiel von Oberflächenzuständen (PDF; 825 kB)