Extrem ultraviolette Strahlung
Extrem ultraviolette Strahlung (EUV, EUV-Strahlung, engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), XUV) bezeichnet den Spektralbereich zwischen 10 nm und 121 nm.[1] Dies entspricht Photonenenergien zwischen etwa 10,25 eV und 124 eV. Damit bezeichnet EUV einen Bereich elektromagnetischer Strahlung an der Grenze zur Röntgenstrahlung, der sich mit der Vakuumultraviolettstrahlung (10–200 nm[1], auch 100–200 nm[2]) überschneidet.
Alternative Definitionen
Neben der genannten Definition gibt es noch weitere, weniger gebräuchliche Definitionen:[1]
- die untere Grenzwellenlänge 30 nm beträgt oder
- die obere Grenzwellenlänge
- des Ionisationspotentials eines Sauerstoffmoleküls (O2) bei 102,7 nm,
- der Transmissionsgrenze von Magnesiumfluorid (MgF2) bei 115 nm oder
- der Emissionswellenlänge des Lyman-α-Übergangs bei 121,6 nm angesetzt wird.
Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value) in Zusammenhang gebracht. Laut ISO 21348[1] bezeichnet XUV (0,1–10 nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet.
Anwendung
Die EUV-Lithografie ist in der Halbleitertechnik derzeit ein Kandidat für die Nachfolge der Fotolithografie und soll die Produktion von zukünftigen mikroelektronischen Schaltungen ermöglichen. International haben sich die beteiligten F&E-Abteilungen bzw. -Institute auf eine Zentralwellenlänge von 13,5 nm geeinigt. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Die Halbleiterindustrie plant, ab ca. 2019 Chips mit EUV-Strahlung kommerziell herzustellen.
EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer Eindringtiefe.
