Extrem ultraviolette Strahlung: Unterschied zwischen den Versionen
imported>Reaper35 K (Doppelte Nennung/Verlinkung raus) |
imported>Ulfbastel (→Alternative Definitionen: see talk) |
||
| Zeile 1: | Zeile 1: | ||
{{Belege fehlen}} | {{Belege fehlen}} | ||
[[ | [[Datei:ISO 7010 W003.svg|mini|Warnzeichen für ionisierende Strahlung]] | ||
'''Extrem ultraviolette Strahlung''' ('''EUV''', '''EUV-Strahlung''', engl. {{lang|en|''extreme ultra violet''}}, ''XUV'') bezeichnet den Spektralbereich zwischen 10 nm und 121 nm.<ref name="ISO21348">ISO 21348 1. Mai 2007. ''Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.''</ref> Dies entspricht [[Photon]] | [[Datei:STEREO-A first images.jpg|mini|[[Falschfarbenbild]]er der Sonne im EUV: 17 nm (blau), 19 nm (grün), 29 nm (gelb) 30 nm (rot).]] | ||
'''Extrem ultraviolette Strahlung''' ('''EUV''', '''EUV-Strahlung''', engl. {{lang|en|''extreme ultra violet''}}, '''XUV''') bezeichnet den Spektralbereich [[Elektromagnetische Strahlung|elektromagnetischer Strahlung]] zwischen 10 nm und 121 nm.<ref name="ISO21348">ISO 21348 1. Mai 2007. ''Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.''</ref> Dies entspricht [[Photon]]en-Energien zwischen etwa 10,25 eV und 124 eV. Damit bezeichnet EUV einen Wellenlängenbereich an der Grenze zur [[Röntgenstrahlung]], der sich mit der [[VUV-Strahlung|Vakuum-Ultraviolettstrahlung]] (VUV, nach ISO21348 10–200 nm<ref name="ISO21348" />, nach DIN 5031 100–200 nm<ref>DIN 5031 Teil 7 Januar 1984. ''Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik. Benennung der Wellenlängenbereiche .''</ref>) überschneidet. | |||
== | == Gebräuchliche Grenzen == | ||
Neben | Neben den oben genannten Wellenlängengrenzen gibt es noch weitere:<ref name="ISO21348" /><!-- Einzelbelege fehlen noch--> | ||
# die untere Grenzwellenlänge 30 nm | # die untere Grenzwellenlänge beträgt 30 nm | ||
# die | # die untere Grenzwellenlänge entspricht | ||
#* | #* der Ersten Ionisationsenergie von [[Sauerstoff]] (ca. 100 nm) | ||
#* der Transmissionsgrenze von [[Magnesiumfluorid]] ( | #* der Transmissionsgrenze von [[Magnesiumfluorid]] (ca. 120 nm) | ||
#* der | #* der Wellenlänge des [[Lyman-Serie|Lyman-α-Übergangs]] bei 121,6 nm | ||
<!-- Die Abkürzung wird aber auch häufig für den Bereich zwischen der [[Silizium]]-L-Kante (ca. 12,4 nm) bis hin zu ca. 20 nm verwendet. --><!--unbelegt--> | <!-- Die Abkürzung wird aber auch häufig für den Bereich zwischen der [[Silizium]]-L-Kante (ca. 12,4 nm) bis hin zu ca. 20 nm verwendet. --><!--unbelegt--> | ||
Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{lang|en|''extreme ultra violet''}} in Zusammenhang gebracht. Laut ISO 21348<ref name="ISO21348"/> bezeichnet XUV (0,1–10 nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet. | Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{lang|en|''extreme ultra violet''}} in Zusammenhang gebracht. Laut ISO 21348<ref name="ISO21348" /> bezeichnet XUV (0,1–10 nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung, der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet. | ||
== Anwendung == | == Anwendung == | ||
Die [[EUV-Lithografie]] | Die [[EUV-Lithografie]] ersetzt in der [[Halbleitertechnik]] derzeit die bisherige klassische [[Fotolithografie (Halbleitertechnik)|Fotolithografie]] und ermöglicht die wirtschaftlichere Produktion aktueller mikroelektronischen Schaltungen sowie die Entwicklung von Schaltkreisen mit höheren Bauelementdichten. International haben sich die beteiligten [[F&E]]-Abteilungen bzw. -Institute auf eine Zentralwellenlänge von 13,5 [[Nanometer|nm]] geeinigt. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Seit 2018 wird die EUV-Lithographie kommerziell in der [[Halbleiter]]industrie angewendet.<ref>{{Internetquelle |autor=Nico Ernst |url=https://www.heise.de/newsticker/meldung/Samsung-fertigt-7-Nanometer-Chips-mit-EUV-Belichtern-4195040.html |titel=Samsung fertigt 7-Nanometer-Chips mit EUV-Belichtern |werk=heise online |datum= 2018-10-18 |abruf=2021-01-11}}</ref> An den Forschungsarbeiten hierzu ist auch eine Gruppe des [[NIST]] in den USA beteiligt.-10-18<ref>{{Internetquelle |autor=Charles Tarrio, Thomas Lucatorto |url=https://www.nist.gov/blogs/taking-measure/how-extreme-ultraviolet-light-helps-give-us-smarter-smartphones-and-stronger |titel=How Extreme Ultraviolet Light Helps Give Us Smarter Smartphones and Stronger Satellites |werk=NIST |datum=2020-04-13 |abruf=2021-01-11}}</ref> | ||
EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer [[Eindringtiefe]]. | EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer [[Eindringtiefe]]. | ||
Aktuelle Version vom 25. März 2021, 13:46 Uhr
Extrem ultraviolette Strahlung (EUV, EUV-Strahlung, engl. {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value), XUV) bezeichnet den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung zwischen 10 nm und 121 nm.[1] Dies entspricht Photonen-Energien zwischen etwa 10,25 eV und 124 eV. Damit bezeichnet EUV einen Wellenlängenbereich an der Grenze zur Röntgenstrahlung, der sich mit der Vakuum-Ultraviolettstrahlung (VUV, nach ISO21348 10–200 nm[1], nach DIN 5031 100–200 nm[2]) überschneidet.
Gebräuchliche Grenzen
Neben den oben genannten Wellenlängengrenzen gibt es noch weitere:[1]
- die untere Grenzwellenlänge beträgt 30 nm
- die untere Grenzwellenlänge entspricht
- der Ersten Ionisationsenergie von Sauerstoff (ca. 100 nm)
- der Transmissionsgrenze von Magnesiumfluorid (ca. 120 nm)
- der Wellenlänge des Lyman-α-Übergangs bei 121,6 nm
Die Abkürzung XUV wird ebenfalls mit der englischen Bezeichnung {{Modul:Vorlage:lang}} Modul:Multilingual:149: attempt to index field 'data' (a nil value) in Zusammenhang gebracht. Laut ISO 21348[1] bezeichnet XUV (0,1–10 nm) jedoch den Spektralbereich ultravioletter Strahlung, der sich mit weicher Röntgenstrahlung überschneidet.
Anwendung
Die EUV-Lithografie ersetzt in der Halbleitertechnik derzeit die bisherige klassische Fotolithografie und ermöglicht die wirtschaftlichere Produktion aktueller mikroelektronischen Schaltungen sowie die Entwicklung von Schaltkreisen mit höheren Bauelementdichten. International haben sich die beteiligten F&E-Abteilungen bzw. -Institute auf eine Zentralwellenlänge von 13,5 nm geeinigt. Für die Lithographie kann üblicherweise nur eine Bandbreite von ca. 2 % genutzt werden. Seit 2018 wird die EUV-Lithographie kommerziell in der Halbleiterindustrie angewendet.[3] An den Forschungsarbeiten hierzu ist auch eine Gruppe des NIST in den USA beteiligt.-10-18[4]
EUV-Strahlung bietet aufgrund der kurzen Wellenlänge und der starken Wechselwirkung mit Materie das Potential der Analyse und Strukturerzeugung mit Nanometer-Auflösung und typisch mehrerer hundert Nanometer Eindringtiefe.
Einzelnachweise
- ↑ 1,0 1,1 1,2 1,3 ISO 21348 1. Mai 2007. Space environment (natural and artificial) — Process for determining solar irradiances.
- ↑ DIN 5031 Teil 7 Januar 1984. Strahlungsphysik im optischen Bereich und Lichttechnik. Benennung der Wellenlängenbereiche .
- ↑ Nico Ernst: Samsung fertigt 7-Nanometer-Chips mit EUV-Belichtern. In: heise online. 18. Oktober 2018, abgerufen am 11. Januar 2021.
- ↑ Charles Tarrio, Thomas Lucatorto: How Extreme Ultraviolet Light Helps Give Us Smarter Smartphones and Stronger Satellites. In: NIST. 13. April 2020, abgerufen am 11. Januar 2021.
