Nick Holonyak

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Nick Holonyak

Nick Holonyak Jr. (ukrainisch Нік Голоняк, * 3. November 1928 in Zeigler, Illinois) ist ein US-Amerikaner, der als Erfinder der sichtbaren LED gilt.

Seine Eltern waren ukrainische Emigranten und sein Vater arbeitete in einem Kohlebergwerk. Nachdem Nick bei der Illinois Central Railroad gearbeitet hatte, zog er es vor, wieder zur Schule zu gehen. Er erwarb 1954 seinen Ph.D. an der University of Illinois at Urbana-Champaign bei John Bardeen. 1954 bis 1955 arbeitete er bei den Bell Telephone Laboratories, leistete dann seinen Militärdienst und war 1957 bis 1963 Wissenschaftler bei General Electric (GE).

Bei Bell Laboratories war er einer der Pioniere in Silizium-Halbleiter-Technologien für Transistoren[1] und Thyristoren (SCR genannt), fortgesetzt ab 1957 bei GE. Er erfand den shorted Emitter in Thyristoren und Triacs. Aus seiner Zeit beim Militär in Japan kannte er auch die Arbeiten von Leo Esaki[2] zur Tunneldiode und stellte sie als erster in Silizium her.

Bei GE entwickelte er bis Februar 1962 die rote Leuchtdiode. 1962 leitete er eines der Teams, die fast gleichzeitig (erster war Robert N. Hall vom Schenectady-Labor von GE) die ersten Laserdioden (Halbleiterlaser) zum Laufen brachten (seine war die erste im sichtbaren Wellenlängenbereich). 2004 entwickelte er mit Milton Feng und anderen den Transistor-Laser.

1963 ging er als Professor wieder an die University of Illinois at Urbana-Champaign. Dort entwickelte er mit seinen Studenten 1977 die ersten Quantum Well Laser.

Er hält etwa 30 weitere Patente und wurde vielfach ausgezeichnet.

Auszeichnungen (Auswahl)

  • 1972 Fellow der American Physical Society
  • 1973 IEEE Morris N. Liebmann Award
  • 1973 Mitglied der National Academy of Engineering
  • 1976 Heinrich Welker Medal of the International Symposium on GaAs and Related compounds
  • 1981 IEEE Jack A. Morton Award
  • 1984 Mitglied der National Academy of Sciences
  • 1984 Mitglied der American Academy of Arts and Sciences
  • 1989 IEEE Edison Medal
  • 1990 National Medal of Science
  • 1992 Ehrenmitglied des Joffe-Instituts in Sankt Petersburg
  • 1995 Japan-Preis
  • 1999 Mitglied der Russischen Akademie der Wissenschaften
  • 2000 IEEE Third Millennium Award
  • 2001 Frederic Ives Medal der Optical Society of America
  • 2003 National Medal of Technology
  • 2003 Global Energy Prize
  • 2004 Von Hippel Award
  • 2006 Mitglied der Consumer Electronics Association (CEA) Hall of Fame
  • 2008 National Inventors Hall of Fame
  • 2015 Charles-Stark-Draper-Preis
  • 2016 Ehrenmitglied der Optical Society of America
  • 2017 Benjamin Franklin Medal des Franklin Institute.

Weblinks

Einzelnachweise

  1. Zur Geschichte Nick Holonyak: The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954–55, in: The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, PDF.
  2. Robert N. Hall, „IEEE Oral History“-Interview

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