Datei:Ohmic contact - n-doped semiconductor DE.svg

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Beschreibung

Beschreibung	English: Ideal energy-band diagram of an ohmic contact between a metal and a high n-doped semiconductor (left) before contact and (right) after contact in thermal equlibrium for Φ_m < Φ_s. Deutsch: Idealisiertes Energiebanddiagramm für einen ohmschen Kontakt zwischen einem Metall und einem hoch n-dotierten Halbleiter (links) vor dem Kontakt und (rechts) nach dem Kontakt in thermischen Gleichgewicht für den Fall Φ_m < Φ_s. $E_{\mathrm {Vak} }$ … Energie des Vakuumpotentials $E_{\mathrm {C} }$ … Energie der Leitungsbandkante $E_{\mathrm {V} }$ … Energie der Valenzbandkante $E_{\mathrm {F} }$ … Fermi-Energie $E_{\mathrm {g} }$ … Bandabstandsenergie $\Phi _{m}$ … Potential der Austrittsarbeit des Metalls $\Phi _{s}$ … Potential der Austrittsarbeit des Halbleiters $\Phi _{\mathrm {Bn} }$ … Barrierepotential im Halbleiters $\mathrm {X} _{s}$ … Elektronenaffinität des Halbleiters $e$ … Elementarladung
Datum	6. März 2011
Quelle	Eigenes Werk
Urheber	Cepheiden
Andere Versionen	ohmic contact between a metal and a high p-doped semiconductor

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aktuell	18:10, 6. Mär. 2011		650 × 400 (28 KB)	wikimediacommons>Cepheiden	small fix

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